9QX4R<"wUg CP +4k.)*O ● 中华人民共和国机械行业标准
6mwvI4) JB／T 7621--94
B gf=\7
;5 电力半导体器件工艺用高纯水
7 xUE ,)? 机械工业部．1994-12-09批准 1995—O6—O1实施
Q ]
/B/ RXM}hqeG 1 主题内容与通用范围
jSB'>m] 本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。
A9t8`|1"%H 本标准适用于去离子处理后的高纯水。
4 HW; 2 引用标准
r4EoJyt GB11446电子级水及其检测方法
>zFD $ 3术语
kB
V/rw 3．1 电导率electrical conductivityctricalconduc2ivity
T RDxT 在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μS/cm为单位。
T!(sZf 水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。
dkpQ ZXi9% 3．2电阻率 resistivity
$,@JYLC2 电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3MΩ.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。
i+I0k~wY 3．3颗粒性物质granular sulbstance
94y9W# 除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。
%W&1`^Jl 3．4总有机碳(TOC)total organic carbon
V,vc_d?,_o 水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。
> e/ r2U 3．5总固体 total solid
3
1k 水样蒸发、烘干后残留的固总量。
[83>T , 3. 6全硅 total silicon
h\FwgkJP 水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。
{!r#f(?uT 3．7高纯水high-pure water, ultrapure water
JRo;(wqZ 电阻率在5MΩ·cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水
jqtVpNwM 3．8原水raw watcr
d>/Tu_
y 纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。
YXRjx .srf 3．9终端 terminal。
zofx+g\(W 高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水
B:nK)"{ 3．10微量micro-amount
mV;3I LO 试样量在1mg左右。
t}~UYG( h~ 3．11 痕量 trace amount
\ 4QH/e 试样量在1μg左右。
^RDU
p5,T 3．12百万分之一(ppm) part per million
Qt~B#R.
V 重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当
;W ~4L+e 每升水样含杂质的毫克数(mg／L)。
y]^#$dK(z 3．13十亿分之一(ppb)part per billion
~j] dc t7 重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般
N%*9&FjrL 认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／L)。
Kr]W
o8dWy 4高纯水的级别
/tzlbI]z 4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号EH和pH标志。
lvPpC AXY 4. 2电子级高纯水
9t0Cj/w} 4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点：
7*MU2gb a．具有精细图形结构；
Q.1X P b．对器件表面有特殊要求；
+ ~~ Z0.[ c．工艺对水质有特定的严格要求。
}k| g%H J 4．2．2电子级高纯水分为两个级别：特级和I级。它们的标志分别是：
P#v^"}.Wd 特级电子级高纯水：EH—T
ee^4KKs
h\ 一级电子级高纯水：EH—1
b*`fLrqV. 4．3普通高纯水
,#
eO& 4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。
jceHK l 4．3．2普双高纯水分为三个级别：Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别是：
;AltNGcM I级普通高纯水：pH—Ⅰ
7BS/T x级普通高纯水：PH—Ⅱ
%xHu,* m级普通高纯水：pH—Ⅲ
g4Bg6<; 4. 4电阻率低于5MΩ·cm的水不能称为高纯水。
h~ZNHSP: 5技术要求
z30= ay1 5．1电子级高纯水
*50ZinfoG 5．1．1电子级高纯水应考核四项内容：
N]* !8 a. 水中自由离子浓度(主要影响电阻率)；
+Z]y #= b．水中悬浮微粒的数量和大小；
wAPO{3 C. 水中有机物总量；
N0=b[%g;n d. 水中细菌微生物状况。
/oB K&r[( 5. 1. 2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。
k#BU7Exij 表l
Ogn,1nm% ^BQ>vI'.4 指 标
MI? ]8+l I ):m 6y@ s#M?
tyhj 级别
K%o6hBlk_ Sz ^TG F EH— T
ZK W@pW]U 3^uL`ETm@ }?\#_BCjx( EH-I
WoC\a^V <T4 7kL I 电阻率，MΩ·cm(25℃)
!8H!F j`|j 8+ @1wks 7zz (# 18 (90％时间）
==r ? 最小17
Uv W: # 5,G<}cd d6Q :{!Sd" 16~18 (90％时间）
&D&5UdN
x 最小15
&})4?5 { 8|Z}?I 大于1μm微粒数.个／mL
[W8iM7D |tolgdj $
O8EiC!f6 ＜1
6{F S /+ ~n]2)>6 2=UTH% 1D 1
@Tm0T7C Kw5+4R(5 大于0．5um微被数
N%M>,wT (最大值)，个／mL
uBL~ AC3>O uzn))/" jJ{
w - $ 100
W2o8Fu x@bl]Z(ne/ '/"M02a 150
MH~qfH>K f`";Q/rG 细菌个数，个／mL
Q8/0C b/ ?Dp^dR arH\QPaka' ＜1
Xs,PT -v+^x`HR %_=R&m'n` 1
WsDe0F aZCT|M1 总有机碳含量(最大值)，μg／L
iBW6<2@oZF ,%G2>PBt '
1]bjW*! 50
g*imswj7 D
;I;,Z myX0<j3G5 100
QNwAuH T oT{y
ttSNo 全硅(最大值)，μg／L
0!
%} 7V``f:#d nQ3goVRFP 2
<t@* [Aw c)fp;^ V3UGx'@^y 10
.LHe*J C gOAluP 氯含量(最大值)，μg／L
!S{<X c'wv <Rt@z|Zv m/Z_ HER^ 0.5
I
j_`=
w< KIJ[ cIw jXZNr 2
SbivW5|61 w[-Bsf
钾含量(最大值)，μg／L
6'zy"UkH ?2;G_P+ V
"" 0.2
6 -}gqkR g K CIfxM :ux`*,z h 1
9 h{G1XL P'8 E8_M} 钠含量(显大值)μg／L
-,&Xp>u\ |.A>0-']M 51 vK> 0.2
!MC W t "^H+A-R[ ?6dtvz;K+? 1
dQ[lXV[}v B.?yHaMI[ 钙含量(最大值)，μg／L
P*SXfb"HC o;.-I[ 9h] g:Dg?_o 0.5
?,j:Y0l.L {x8`gP\H b %kh:NV{S 1
Y%faf.$/9 V/Q6v
YX 铝含量(最大值)，μg／L
3
*G=U *=v
RX!sI, `# R$ 0.5
$\bH 5|Hk] I$Z"o9" D ir We 1
b &JPLUr +LUL-d 铜含量(最大值)，μg／L
@ +7'0[y? >$?Z&7Lv -B_dE-l, 0.1
qb! vI3 #*9*[Xbi oreS u;`$ 1
#[A/zH|xvV I*#~@:4* 总可溶性固体含量(最大值)，μg／L
Y`M.hYBXk S`J_}> 5Zq- |"| 3
0S' EnmG d>(dSK x = U^B,q 10
t rHj 7Nw ;B7>/q;g 5．2普通高纯水
02S Uyv(Mt 5．2．1普通高纯水主要考核其电阻率。
/
{A]('t 5．2．2普通高纯水的技术指标由表2给出。
6/GhQ/T%D 表2
mhcJ0\@_ U_14CLs dG 指 标
z9VQsC' K IQH;`+ FL` . (, 级 标
2!jbaSH(+ %,>,J` PH-Ⅰ
@GGyiK@ 8l?]UFM>C Wqy8ZgSC PH-Ⅱ
m@ jOIt!< ,E/vHI8 N\H(AzMw PH-Ⅲ
t7lRMCN
)m6=_q5 @o 电阻率(25℃)，MΩ，cm
X2o5Hc)l<
4
9#I mD|<qsY) 12-15
W/J3sAYv )Q9 J, a)
} ?rzT] 8~<12
{%~Sbcq4F R[o KhU h j9 b Mj 5~<8
GY0<\- DfqXw^BKD 大于lμm的微粒数，个／mL
X/'B*y'=U !07$aQYcd Hs2L$T X <50
$8X?|fV) A:k`Ykr[ 总有机碳含量，μg／L
M3 u[E ~ H?RHYP~ QZ
h|6&yI <500
H2rh$2
lD\lFN(: 全硅,μg／L
-% "MAIJnX Cl i k 3-tp94`8}t <100
CuU"s ) W:hR8 1ci 6测试方法和检验规则
S ^2'O7uj 6．1电阻率测试方法
x&8fmUS:@; 6．1．1用电导率仪测量高纯水电阻率时：
v" y
e\ZG a．电导池常数选川0.1—0.01cm-1；
+=U` b．被测高纯水应处于密封流动状态，避免任何气体混入，流速不低于0．3m/s。
V|<qO-#. 6．1．2在t℃时测得的电阻率值ρt，用下式换算成25℃的电阻率ρ25
|M0 XLCNd_ ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
dax|4R 式中：ρ25——２５℃时的电阻率ＭΩ.ＣＭ
[uZU p*.V ρt——t℃时的电阻率ＭΩ.ＣＭ
f}nGWV%, Gt——t℃时理论纯水的电导率μＳ／ＣＭ，其值见附录Ａ；
'HPw 5 L αt——t℃时修正系数，其值见附录Ａ；
;bkS0Vmg 0.05482——t℃时理论纯水的电导率μＳ／ＣＭ。
,Sghi&Ky ６.2其他技术指标测量方法
>L[,.}(9 执行ＧＢ１１４４6.5~11446.11中有关规定。
C
Hyb{:< 6．３检验规则
0v+5&Jk 6．3．1各个级别高纯水的电阻率为经常必测项目。
-}PD0Pzg;= 6．3．2对电子级高纯水，用水单位还应根据生产要求制定对微粒数、痕量金属、细菌、有机物及二氧化硅等各项技术指标的检验规则。
mY dU`j 6．3．3制水工艺条件改变时，应及时对表1或表2中各项技术指标全面检验。
n3~xiQ' 6．3．4所有测量均应在制水终端和用水点两处测量。制水终端水的质量称为制水水质；用水点水的质量称为用水水质。对普通高纯水，用水水质和制水水质应在同一级别上。对电子级高纯，主要检验用水水质，但应给出制水水质作参考。制水水质还用于检验制水设备和技术。
$].< / 6．4检验标志
e
Eezd[ p 在高纯水制水终端和用水点按要求进行检验后，若水质合格，应附标有下列内容的检验合格证：
X
B65,l a．高纯水的级别标志；
j31
Sc3vG b．要求检测的技术指标及测量结果；
y4 P mL c. 制水单位；
is #?O5:2 d．连续供水开始日期(普通高纯水可无此项)；
c1jgBt y e．检验员签章及检验日期。
O_KL#xo 7取样、存贮和运输
]#+fQR$ ! 7. 1. 高纯水的取样
w9c 7．1．1盛水容器必须使用塑料或硬质玻璃容器。用于测定硅或分析痕量成分时。必须使用聚乙烯等塑料容器。
tx
TDuS 7．1．2取样前，盛水容船应预先用洗涤剂清洗干净，再用盐酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48H(分析阴离子用的容器除外)，然后用高纯水冲洗干净，再用高纯水浸泡不少于6h。临取样时，用待测高纯水冲洗容器小少于10次、方可取样。
M0"xDvQ 7．1．3采集水样时，应先把管道中的积水放尽，并冲放5—10min，在流动状态取样。以保证水样有充分的代表性。
3mr9}P9; 7．1．4取样的体积约为容器体积的0.6—0.8，不得太满。取样后。应迅速把容器盖严。
8 :Z3Q 7．1. 5细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。
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>A 7．2 高纯水的贮存与运输
+<8r?d2 7．2．1分析高纯水中的阳、阴离子时，采集的水样可存放72H。细菌检验时，水样存放时间不得大于4H。
o!\Vk~Vi& 7．2．2高纯水在贮存和运输时，应检查容器益是否密封严密。装有水样的容器不能在太阳下曝晒或放在高温处。冬天要注意防冻。
N
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t 7. 2．3高纯水在贮存和运输过程中；应定时记录时间、温度和气候条件等。
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