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{<a)+S.6U  
●  中华人民共和国机械行业标准 4F6I7lu  
JB／T 7621--94  E2z=U  
电力半导体器件工艺用高纯水 j?T>S]xOX  
机械工业部．1994-12-09批准 1995—O6—O1实施 &;WK=#  
>wL!`:c'"  
1 主题内容与通用范围 Nf2lw]-G4  
    本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。 ,aq>9\pi  
    本标准适用于去离子处理后的高纯水。 T+t7/PwC;  
2 引用标准 :Ig9n:  
    GB11446电子级水及其检测方法 7/ fJQM  
3术语 !>wu7u-  
    3．1 电导率electrical conductivityctricalconduc2ivity d_f*'M2Gv  
    在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μS/cm为单位。 =Lb(N61  
    水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。 0S }\ML  
    3．2电阻率 resistivity #N'9F&:V$  
    电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3MΩ.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。 JDp=w,7LF  
    3．3颗粒性物质granular sulbstance ^JY:$)4["  
    除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。 5p-vSWr!  
    3．4总有机碳(TOC)total organic carbon us u{1&g  
    水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。 0C"2?etMx  
    3．5总固体 total solid C.H(aX)7  
    水样蒸发、烘干后残留的固总量。 Tc/<b2\g  
    3. 6全硅 total silicon xa !/.  
    水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。 :;LaV  
3．7高纯水high-pure water, ultrapure water .Rb1 %1bdc  
电阻率在5MΩ·cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水 bHTTxZ-%  
3．8原水raw watcr s(=@J?7As  
纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。 *Ct ^jU7  
3．9终端 terminal。 wLg @BSC.  
高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水 [?]p I  
3．10微量micro-amount ws,VO*4  
试样量在1mg左右。 ^~bAixH^k  
3．11 痕量 trace amount /q"8sj/  
试样量在1μg左右。 g\aq#QV  
3．12百万分之一(ppm) part per million 3Z%jx#  
重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当 d#I; e  
每升水样含杂质的毫克数(mg／L)。 DM(c :+K-  
3．13十亿分之一(ppb)part per billion CraD   
重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般 Y1{*AV6ev6  
认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／L)。 5F1P |t#  
4高纯水的级别
"z{rC}  
4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号EH和pH标志。 QY1|:(  
4. 2电子级高纯水 *1U"uJno  
4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点： YH0utc  
a．具有精细图形结构； 'L veCi_  
b．对器件表面有特殊要求； H\=S_b1wo  
c．工艺对水质有特定的严格要求。 Q::_i"?c  
4．2．2电子级高纯水分为两个级别：特级和I级。它们的标志分别是： B>e},!  
特级电子级高纯水：EH—T Uc]sWcR  
一级电子级高纯水：EH—1 5_Oxl6#  
4．3普通高纯水 Xm~N Bt  
4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。 h`V#)Q  
4．3．2普双高纯水分为三个级别：Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别是： 42.y.LtZ  
I级普通高纯水：pH—Ⅰ )t$o0!  
x级普通高纯水：PH—Ⅱ crr#tad.  
m级普通高纯水：pH—Ⅲ O|Y~^:ny  
4. 4电阻率低于5MΩ·cm的水不能称为高纯水。 78F Ly7  
5技术要求 W=!di3IA  
5．1电子级高纯水 {M P(*N  
5．1．1电子级高纯水应考核四项内容： #0 eop>O  
a. 水中自由离子浓度(主要影响电阻率)； Q
<fDtf}  
b．水中悬浮微粒的数量和大小； 9{XV=a v  
C. 水中有机物总量； -=a,FDeR  
d. 水中细菌微生物状况。 roHJ$~q?  
5. 1. 2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。 "aJfW  
表l D;+sStZK3  
T!Z).PA#  
指 　　　标 W?R@ eq.9  
    R 9b0D>Lxt  
Q ?R3aJ  
级别 pRGag~h|E  
87yZd8+)  
EH— T k8E{pc6;  
    {YF(6wVl  
pmgPBiU>  
EH-I )8*}-z  
eNu]K,rT  
电阻率，MΩ·cm(25℃) DLD5>  
    _t?#
 
= buarxk  
18 (90％时间） IZ<Et/3H  
最小17 ]\ t20R{z  
    rUh2[z8:  
-8
:
/My  
16~18 (90％时间） $g_|U:,  
最小15 1|:'jK#gE  
'Lh nl3  
大于1μm微粒数.个／mL M}]4tAyT  
    eI98J"h%?  
F0tcVdv  
＜1 |f1RhB  
    ndu$N$7+  
<[vsGUbc  
1 |E&|6h1  
 baGV]=j  
大于0．5um微被数 <Ok7-:OxA  
(最大值)，个／mL mbHMy[R  
    >0?ph<h1[q  
J;ycAF~  
100 =.l>Uw !  
    ni6zo~+W]  
)5fly%-r)  
150 EqOhzII^  
:lu"14  
细菌个数，个／mL s GE%zCB  
    c*i,z  
QcX&q%*0  
＜1 9A87vs4[  
    x6ayF q=  
At!@Rc  
1 /m i&7C(6  
2*] [M,L0c  
总有机碳含量(最大值)，μg／L 6PC?*^v  
    o_5[}d  
M.bkFuh  
50 "'/+}xM"5  
    BB_(!omq[  
d= ?lPEzSA  
100 =#A/d`2 b  
lkC|g
%f  
全硅(最大值)，μg／L hegH^IN M  
    s,l*=<  
"z=~7g  
2 4vND ~9d  
    Sz]1`%_H/  
Zq H-]?)  
10 ?6L8#"=  
[57`V&c5  
氯含量(最大值)，μg／L }o\} qu*  
    zAev@+.ld  
=h+-1zp{M^  
0.5 /zr)9LQY0  
    YPO24_B  
 ?sR(  
2 fN:FD`  
c `.BN(  
钾含量(最大值)，μg／L g1]bI$;  
    a:4!z;2 |  
-8dz`
o}  
0.2 AVf F<E/  
    :h!'\9  
z\?<j%e!t  
1 'tU\~3k  
,)aUp4*  
钠含量(显大值)μg／L v!$?;"d+  
    Q}a(vlZ  
k
Lpq{GUv:  
0.2 _+~&t9A!  
    qZv@ULluc  
wjgFe]  
1 /NobS'd  
W"CG&.  
钙含量(最大值)，μg／L r6:e 423  
    !@y/{~Gu  
IY mkZ?cW  
0.5 m&be55M;  
    r}:U'zlC{  
\ Z5160  
1 wwJs_f\  
9RkNRB)8  
铝含量(最大值)，μg／L 5j9%W18  
    "QD>:G;u  
$&Z#2 X.  
0.5 pr,1pqiAf  
    ,Ik~E&Ku2'  
T,PN6d  
1 c>+68<H  
8qxZ7|Y@  
铜含量(最大值)，μg／L S1C#5=  
    Z J1
@z.  
<i`s)L  
0.1 U!JmSP  
    &!HG.7AY  
j_0l'Saj  
1 B8!$?1*^a  
BuxU +  
总可溶性固体含量(最大值)，μg／L :/RvtmW  
    uigzf^6,  
.SSPJY(  
3 ?g0dr?H  
    =CCddLO  
KxfH6:\RB  
10 gI@nE:(m  
?
,[$8V  
5．2普通高纯水 n:H |=SF{  
5．2．1普通高纯水主要考核其电阻率。 oDGBC  
5．2．2普通高纯水的技术指标由表2给出。 DLe>EU;vS  
表2 m+ #G*  
6r[pOl:  
指　　　标 SLvo)`Nc3-  
    t!>0^['g4  
i 9peQ61{  
级　　　标 iA'p!l|P  
"#Q"gC.K  
PH-Ⅰ *2YWvGc  
    5iGz*_ m  
V9`jq$  
PH-Ⅱ 1X?q4D"  
    F-Ku0z]){?  
Jf@Xz7{z  
PH-Ⅲ ~k ]$J|}za  
2nSz0 .  
电阻率(25℃)，MΩ，cm ]:4\rBR3  
    JS&;7Z$KX  
\6/!{D,  
12-15 ]pVuRj'pP  
    NRe=O*O  
LO)QEU
G  
8~<12 p.vxrk`c  
    7+P-MT  
7t6TB*H  
5~<8 U H6 Jvt  
,.uI>  
大于lμm的微粒数，个／mL VQ4rEO=t  
    ov'C0e+o  
)oMMDHw\  
<50 >NBwtF>  
)`<7qT_BM  
总有机碳含量，μg／L k FE<M6a9@  
    IjRUL/\=  
j4eq.{$  
<500 HJOoCf  
mUwGr_)wj  
全硅,μg／L bN.U2%~!  
    6Zq7O\   
{tF)%>\#  
<100 h2ou]  
QPp>%iE@  
6测试方法和检验规则 J8PZVeWx  
6．1电阻率测试方法 ci{WyIh  
6．1．1用电导率仪测量高纯水电阻率时： JS0957K  
a．电导池常数选川0.1—0.01cm-1； }1
Km h]  
b．被测高纯水应处于密封流动状态，避免任何气体混入，流速不低于0．3m/s。 ^TCfj^FP  
6．1．2在t℃时测得的电阻率值ρt，用下式换算成25℃的电阻率ρ25 jI,?*n<  
　　　　ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482} ]gB:ht  
式中：ρ25——２５℃时的电阻率ＭΩ.ＣＭ !9.`zW"40  
　　　ρt——t℃时的电阻率ＭΩ.ＣＭ A>QAR)YP  
　　　Gt——t℃时理论纯水的电导率μＳ／ＣＭ，其值见附录Ａ； -owap-Va  
　　　αt——t℃时修正系数，其值见附录Ａ； yo"!C?82=  
　　　0.05482——t℃时理论纯水的电导率μＳ／ＣＭ。 +{"w5o<CO  
６.2其他技术指标测量方法 :N ]H"u9X  
　　执行ＧＢ１１４４6.5~11446.11中有关规定。 38gEto#q  
6．３检验规则 qJT|om LY  
6．3．1各个级别高纯水的电阻率为经常必测项目。 v!%VH?cA8  
6．3．2对电子级高纯水，用水单位还应根据生产要求制定对微粒数、痕量金属、细菌、有机物及二氧化硅等各项技术指标的检验规则。 \6K1Z!*;  
6．3．3制水工艺条件改变时，应及时对表1或表2中各项技术指标全面检验。 "BD$-]  
6．3．4所有测量均应在制水终端和用水点两处测量。制水终端水的质量称为制水水质；用水点水的质量称为用水水质。对普通高纯水，用水水质和制水水质应在同一级别上。对电子级高纯，主要检验用水水质，但应给出制水水质作参考。制水水质还用于检验制水设备和技术。 iVqXf;eB!5  
6．4检验标志 f^9ntos|  
在高纯水制水终端和用水点按要求进行检验后，若水质合格，应附标有下列内容的检验合格证： c-bTf$6}  
　　a．高纯水的级别标志； "IKbb 7x  
　　b．要求检测的技术指标及测量结果； Qvhz$W[P>  
　　c. 制水单位； Jqgo\r%`  
　　d．连续供水开始日期(普通高纯水可无此项)； %E `=c]!  
　　e．检验员签章及检验日期。 A<<Bm M.%  
7取样、存贮和运输 S# sar}-I  
7. 1. 高纯水的取样 &)#bdt[  
7．1．1盛水容器必须使用塑料或硬质玻璃容器。用于测定硅或分析痕量成分时。必须使用聚乙烯等塑料容器。 o1]ZeF  
7．1．2取样前，盛水容船应预先用洗涤剂清洗干净，再用盐酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48H(分析阴离子用的容器除外)，然后用高纯水冲洗干净，再用高纯水浸泡不少于6h。临取样时，用待测高纯水冲洗容器小少于10次、方可取样。 n>i}O!agg  
7．1．3采集水样时，应先把管道中的积水放尽，并冲放5—10min，在流动状态取样。以保证水样有充分的代表性。 7bC)Co#:  
7．1．4取样的体积约为容器体积的0.6—0.8，不得太满。取样后。应迅速把容器盖严。 L|
A.;Gq
 
7．1. 5细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。 U((mOm6  
7．2 高纯水的贮存与运输 5;Q9Z1 `  
7．2．1分析高纯水中的阳、阴离子时，采集的水样可存放72H。细菌检验时，水样存放时间不得大于4H。 Rg6/6/ IN  
7．2．2高纯水在贮存和运输时，应检查容器益是否密封严密。装有水样的容器不能在太阳下曝晒或放在高温处。冬天要注意防冻。 (YKkJ  
7. 2．3高纯水在贮存和运输过程中；应定时记录时间、温度和气候条件等。
关键词：电力  器件  半导体  工艺  纯水  方法  检测  所有关键字

楼主搞成附件上传就好了, #w:6<$  
现在有点乱...................